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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]微连接结构及其制造方法-CN201810101863.6有效
发明人：吕文雄;陈承先;颜晨恩;林政仁;康金玮;詹凯钧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2018-02-01 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：所述微连接结构包括凸块下金属(UBM)接垫、凸块及绝缘环。所述凸块下金属接垫电连接到衬底的至少一个金属触点。所述凸块设置在凸块下金属接垫上且与凸块下金属接垫电连接。所述绝缘环环绕凸块及凸块下金属接垫。所述凸块与绝缘环隔开一距离且所述凸块被绝缘环与凸块之间的间隙隔离。
连接结构及其制造方法

[发明专利]凸块形成装置、凸块形成方法以及凸块形成程序-CN202180075021.8在审
发明人：田中清贵 -专利权人：株式会社新川
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：凸块形成装置(1)包括接合工具(15)及接合控制部(10)，接合控制部构成为执行压接工序(S14)、放出工序(S15)、按压工序(S16)以及切断工序(S17)，基于与引线(w)相关的第一参数以及与接合工具
形成装置方法以及程序

[发明专利]薄膜晶体管基板及制造方法-CN200710140799.4有效
发明人：陈慧昌;李俊右;周诗频 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2004-03-03 - 公布日： 2008-01-30 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管基板，包括一玻璃基板、一薄膜晶体管、一电极垫及一导电凸块。薄膜晶体管及电极垫都形成于玻璃基板上，电极垫用以与薄膜晶体管电性连接。导电凸块包括数个绝缘凸块及一导电层，此些绝缘凸块相互隔开地形成于电极垫上。导电层覆盖此些绝缘凸块的顶面、此些绝缘凸块的内侧表面和此些绝缘凸块之间的部分的电极垫，用以与电极垫电性连接，此些绝缘凸块的外围侧面暴露于导电层之外。
薄膜晶体管制造方法

[发明专利]薄膜晶体管基板及制造方法-CN200410028643.3有效
发明人：陈慧昌;李俊右;周诗频 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2004-03-03 - 公布日： 2005-01-05 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明涉及一种薄膜晶体管基板，包括一玻璃基板、一薄膜晶体管、一电极垫及一导电凸块。薄膜晶体管及电极垫都形成于玻璃基板上，电极垫用以与薄膜晶体管电性连接。导电凸块包括数个绝缘凸块及一导电层，此些绝缘凸块相互隔开地形成于电极垫上。导电层覆盖此些绝缘凸块的顶面、此些绝缘凸块的内侧表面和此些绝缘凸块之间的部分的电极垫，用以与电极垫电性连接，此些绝缘凸块的外围侧面暴露于导电层之外。
薄膜晶体管制造方法

[实用新型]一种变压器用浇注式高压线圈结构-CN201620465500.7有效
发明人：胡友林 -专利权人：上海光大科技集团变压器有限公司
申请日： 2016-05-20 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01F27/30 文献下载
摘要：本实用新型涉及变压器技术领域，公开了一种变压器用浇注式高压线圈结构，包括环形的绝缘基座、线圈本体，绝缘基座的一侧设有绝缘凸块，绝缘凸块与绝缘基座为一体式结构，绝缘凸块的长度方向与线圈本体的轴线平行，绝缘凸块的外侧两端各设有一个出线端子，绝缘凸块的中间部位设有若干分接端子，绝缘凸块的表面位于出线端子与分接端子之间的部位设有若干条隔离槽，隔离槽与线圈本体的轴线垂直，隔离槽的两端与绝缘凸块的两侧贯通。
一种变压器用浇注高压线圈结构

[发明专利]凸块结构、芯片封装结构及该凸块结构的制备方法-CN200910181090.8有效
发明人：陆苏财;黄昱玮 -专利权人：财团法人工业技术研究院
申请日： 2009-10-28 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： G02F1/13 文献下载
摘要：本发明公开一种凸块结构、芯片封装结构及该凸块结构的制备方法。该凸块结构包含一第一基板、多个第一电极、多个绝缘凸块、多个金属延伸层以及多个金属层。多个第一电极间隔地排列在该第一基板。多个绝缘凸块相对应于该些第一电极设置且将该些第一电极相互隔离。各金属延伸层形成于相对应的该第一电极与该绝缘凸块之间，且延伸出该绝缘凸块的一侧面，并在相对应的两相邻的该些绝缘凸块间形成一延伸部，其中各该延伸部在其延伸方向上的长度小于相对应的两相邻的该绝缘凸块的间距。各金属层形成于相对应的该绝缘凸块的该侧面与相对应的该延伸部。
结构芯片封装制备方法

[发明专利]半导体器件和制造半导体器件的方法-CN201010516547.9有效
发明人：别宫史浩 -专利权人：瑞萨电子株式会社
申请日： 2010-10-20 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：半导体器件包括保护绝缘膜、被形成在保护绝缘膜中的开口、位于开口内的电极焊盘、被形成在保护绝缘膜上的凸块、以及互连。凸块包括凸块核和导电膜。凸块核包括绝缘树脂层和位于绝缘树脂层上的导电树脂层。导电膜至少被形成在凸块核的上表面上。互连连接凸块的导电膜和电极焊盘。
半导体器件制造方法

[发明专利]凸块结构和凸块结构制造方法-CN201910825779.3在审
发明人：李灿浩;李仁荣;裵镇国;郑显秀 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2020-04-07 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：公开了凸块结构和凸块结构制造方法。可以提供包括焊盘和位于所述焊盘的顶表面上的凸块的凸块结构。所述凸块可以包括上凸块部分和下凸块部分，所述下凸块部分可以包括与所述焊盘的顶表面接触的基座部分和从所述基座部分向上延伸的柱状部分。
结构制造方法

[发明专利]凸块封装结构及凸块封装方法-CN201210041079.3有效
发明人：王之奇;王宥军;俞国庆;王琦;喻琼;王蔚 -专利权人：苏州晶方半导体科技股份有限公司
申请日： 2012-02-22 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： H01L21/603 文献下载
摘要：一种凸块封装结构及凸块封装方法，其中，凸块封装方法包括：提供待封装衬底，所述待封装衬底表面具有焊垫，焊垫表面具有凸块；在所述待封装衬底表面形成覆盖所述凸块的异向导电胶层；提供PCB板，所述PCB板具有突出PCB板表面的电极，所述电极位置与凸块位置对应；将PCB板与待封装衬底压合，使得所述电极与所述凸块位置正对并且PCB板表面与异向导电胶层表面接触，其中，位于所述凸块与所述电极间的异向导电胶层受到垂直所述封装衬底表面的压力本发明实施例的凸块封装方法工艺简便，本发明实施例的凸块封装结构封装质量高。
封装结构方法

[发明专利]凸块形成方法及焊接凸块-CN200580029094.4有效
发明人：辛岛靖治;山下嘉久;留河悟;北江孝史;中谷诚一 -专利权人：松下电器产业株式会社
申请日： 2005-08-30 - 公布日： 2007-08-01 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种可以均一性良好地形成多个微细凸块并且生产性高的凸块形成方法。其后，如果将平板(14)从树脂(13)的表面分离，除去树脂(13)，则可以获得在多个电极上形成了凸块(16)的基板(10)。
形成方法焊接

[发明专利]晶片级封装和方法-CN201780051429.5有效
发明人：乔治·楚 -专利权人：密克罗奇普技术公司
申请日： 2017-08-23 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种铜柱凸块半导体封装方法将形成在铜柱凸块下方的有机绝缘层仅图案化到围绕铜柱凸块和在铜柱凸块附近的区域。通常为薄膜聚合物层的有机绝缘层用作铜柱凸块的阻挡层，以在铜柱倒装芯片接合工艺期间保护半导体晶片。铜柱凸块半导体封装方法限制了施加有机绝缘层的区域，以减少由有机绝缘层引入到半导体晶片的应力。在另一个实施例中，一种铜柱凸块半导体封装方法将形成在铜柱凸块下方的有机绝缘层图案化到围绕铜柱凸块并沿着再分布层的路径的区域，而不使用大的且连续的有机绝缘层。
晶片封装方法

[发明专利]凸块工艺-CN201110423999.7有效
发明人：郭志明;戴华安;林政帆;邱奕钏;谢永伟 -专利权人：颀邦科技股份有限公司
申请日： 2011-12-13 - 公布日： 2013-06-19 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明是有关于一种凸块工艺，其包含提供一硅基板；形成一含钛金属层在该硅基板，且该含钛金属层是具有多个第一区及多个第二区；形成一光阻层在该含钛金属层；图案化该光阻层以形成多个开槽，所述开槽是对应该含钛金属层的所述第一区；形成多个铜凸块在所述开槽；进行一加热步骤；形成多个凸块隔离层在所述铜凸块；形成多个接合层在所述凸块隔离层；移除该光阻层；以及移除该含钛金属层的所述第二区，并使各该第一区形成为一凸块下金属层。
工艺

[发明专利]凸块制程-CN200810095842.4有效
发明人：余瑞益;戴丰成 -专利权人：日月光半导体制造股份有限公司
申请日： 2008-04-30 - 公布日： 2008-09-17 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明提供一种凸块制程，是提供一晶片，该晶片具有一主动表面且该主动表面上具有至少一接垫，再覆盖一保护层于晶片的主动表面上，并裸露出接垫，接着形成一凸块下金属层于接垫上，再配置一胶膜于保护层上，并覆盖凸块下金属层接着对胶膜进行选择性的曝光，使得位于凸块下金属层上方的胶膜受到曝光，并移除胶膜的曝光部分，使得凸块下金属层裸露。分布一锡膏于凸块下金属层上，并移除晶片上剩余的胶膜，再借助回焊制程使锡膏形成一金属凸块。
凸块制程

[发明专利]凸块制程-CN200610064835.9有效
发明人：王俊恒 -专利权人：南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司
申请日： 2006-03-14 - 公布日： 2007-09-19 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种凸块制程包括下列步骤。首先提供一具有多个接点的本体。然后形成具有多个第一开口的一保护层于本体上，其中这些第一开口暴露出本体的多个接点。接着于保护层与这些接点上形成一球底金属层。然后对应这些接点而形成多个凸块于第二开口内，其中这些凸块的远离保护层的表面低于图案化光阻层远离保护层的表面。接着对这些凸块进行蚀刻，以平坦化这些凸块的表面。然后移除图案化光阻层以及移除球底金属层的不为这些凸块所覆盖的部份。
凸块制程

[发明专利]凸块结构-CN201910542464.8有效
发明人：曾国玮;陈柏琦 -专利权人：矽创电子股份有限公司
申请日： 2019-06-21 - 公布日： 2021-11-16 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：本发明公开了一种凸块结构，包含一凸块本体，所述凸块本体沿一第一方向延伸，且所述凸块本体于垂直所述第一方向的一第二方向两侧分别具有一侧表面；以及多个补强单元，形成于所述凸块本体的侧表面。
结构

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